oatingGate技术也就是平面浮栅整套底层专利几乎被美光+IBM联合垄断，这部分的专利我会让蔡总提前向美光和IBM申请授权。”
“这个是没办法的事情，我们的一些工艺也会被强制共享出去一部分。”
“绕不开？”陈星皱着眉问道。
“绕不开。”林先动说道：“只要做平面FGNAND，单元底层结构必然落入其专利保护范围，无任何的绕开空间，28nm以下平面FG天生存在浮栅导体耦合串扰、隧穿氧化层漏电、擦写耐久差三大物理短板，没有任何改良的路径。”
“这是物理特性决定的，不以人为意志转移。”
这种纯技术的东西，陈星就有点抓瞎了，他知道知道2D平面NAND这条路线会被走死，未来会向3DNAND发展，更知道3DNAND的一些技术路径。
可你要是让他说2DNAND技术路径和绕开专利，那真抓瞎。
毕竟上一世自己出生的时候红星走的就是3D路线，压根就没经历过2D时代。
回想了半天，陈星也只想起来一个氮化硅，主要2D平面NAND是这玩意上一世的时候《红星本纪》里面压根就没写过啊，自家老爹也从来没提过。
氮化硅三个字还是一个叫尹阳君的朋友告诉他的。
“那个，陆教授，林博士，要不你们试试氮化硅？”
陈星只说了这一句，多了也没法说，也不知道说什么，氮化硅是在哪个节点用的，怎么用的，统统不知道。
“氮化硅？”
林先动咂摸着这个名字，不知道陈总为什么会突然说这东西。
和闪存工艺以及IBM的专利好像没什么……
不对！